Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (19)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Makhniy V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 12
Представлено документи з 1 до 12
1.

Makhniy V. P. 
Peculiar optical properties of modified surface of monocrystalline cadmium telluride [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, M. M. Slyotov, N. V. Skrypnyk // Ukrainian journal of physical optics. - 2009. - Vol. 10, № 1. - С. 54-60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2009_10_1_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 257.565 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Makhniy V.P. 
Diffusion layers of zinc selenide with a predominant edge emission. [Електронний ресурс] / V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, I.V. Tkachenko, A.M. Slyotov, P.P. Horley, Yu.V. and González-Hernández J. Vorobiev // Ukrainian journal of physical optics. - 2009. - Vol. 10, № 4. - С. 206-217. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2009_10_4_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 737.061 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Makhniy V.P. 
Luminescence of ZnO heterolayers prepared by isovalent substitution on ZnTe substrates [Електронний ресурс] / V.P. Makhniy, M.M. Slyotov, S.V. Khusnutdinov // Ukrainian journal of physical optics. - 2008. - Vol. 9, № 1. - С. 22-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2008_9_1_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 77.876 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Makhniy V. P. 
Optical properties of diffuse ZnSe:Mn layers [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, O. V. Kinzerskaya, P. P. Horley, K. S. Ul’yanitskiy // Ukrainian journal of physical optics. - 2008. - Vol. 9, № 2. - С. 91-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2008_9_2_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 132.376 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Makhniy V. P. 
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, М. М. Slyotov, I. V. Tkachenko, А. М. Slyotov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 338-339. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_8
Using the isovalent substitution method, CdSe heterolayers of cubic modification were obtained for the first time on single-crystal CdTe substrates, and their basic physical properties were studied.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.136 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Makhniy V. P. 
Influence of ytterbium impurity on luminescent properties of ZnSe/Al/ crystals [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, N. D. Vakhnyak, O. V. Kinzerska, I. M. Senko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 4. - С. 391-394. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_4_13
The influence of Yb impurity on evolution of luminescent properties of zinc selenide crystals doped with Al in the growth process is discussed. It was ascertained that diffusion of Yb impurity in a closed volume from vapor phase of ZnSe<> substrates causes "quenching" the yellow-green band and appearance of intensive blue luminescent band that has exciton nature.
Попередній перегляд:   Завантажити - 142.885 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Makhniy V. P. 
Luminescence of crystals ZnSe :Gd [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, N. D. Vakhnyak, O. V. Kinzerska, I. M. Senko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 1. - С. 80-82. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_1_11
It has been experimentally shown that the luminescence spectra of ZnSe <$Esymbol ... roman Al symbol ъ> crystals doped with Gd from the vapor phase contain two mutually compatible luminescence bands. It is established that the low-energy G-band is due to recombination with association of complexes (<$Eroman V sub Zn symbol Т roman Al sub Zn sup symbol Ч>) and (<$Eroman V sub Zn symbol Т roman V sub Sc sup symbol Ч>), and the boundary B-band is the result of annihilation of excitons and interband transitions.
Попередній перегляд:   Завантажити - 123.657 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Makhniy V. P. 
Effect of Chemical Treatment of the Surface on Optical Properties of ZnSe Substrates [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, M. M. Berezovskiy, O. V. Kinzerska, I. M. Senko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 1. - С. 01023-1-01023-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_1_25
Досліджено вплив морфології поверхні монокристалічних підкладинок ZnSe<> на формування їх спектрів люмінесценції та поглинання. Встановлено, що обробка підкладинок у хромовому травнику Cr2O3:HCl = 2:3 призводить до утворення дзеркальної поверхні, а в розчині складу H2SO4:H2O2 = 3:1 - до матової. Аналіз АСМ-тонограм дзеркальної поверхні показує, що середньоквадратична шорсткість не перевищує 0,6 нм і її можна вважати атомарно-гладкою. ЛСМ-зображення матової поверхні являє собою набір згладжених пірамідальних зерен з латеральним розміром 30 - 300 нм, а їх максимальна висота досягає ~ 200 нм. На поверхні цих підкладинок також спостерігаються нанокластери з середнім латеральним розміром ~ 90 нм і максимальною висотою - 27 нм. У спектрах люмінесценції зразків з поверхневою наноструктурою, на відміну від підкладинок із дзеркальною поверхнею, з'являється смуга крайового випромінювання і широка U-смуга в діапазоні енергій фотонів <$E h bar omega> більших за ширину забороненої зони Eg селеніду цинку. При цьому U-смуга формується вершинами мілких пірамідальних зерен, а її велика нівширина та відсутність структури зумовлені дисперсією латеральних розмірів цих зерен. Встановлено, що край оптичного поглинання підкладинок із дзеркальною поверхнею описується "кристалічним" наближенням правила Урбаха, а енергетичне положення фокальної точки Ef узгоджується з <$EE sub g ~symbol Ы~2,81> еВ селеніду цинку за 0 К. Поведінка краю оптичного поглинання зразків з поверхневою наноструктурою підпорядковується "склоподібному" наближенню правила Урбаха, а його зміщення з ростом температури у низькоенергетичну область відбувається без зміни нахилу. Це є наслідком статичного розупорядкування, на відміну від зразків із дзеркальною поверхнею, для яких домінуючим є динамічний безнорядок, зумовлений електрон-фононною взаємодією.
Попередній перегляд:   Завантажити - 535.864 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Makhniy V. P. 
Prospects of using surface and barrier CdTe-diodes in solar energy [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, M. M. Berezovskiy, O. V. Kinzerska, M. P. Mazur, T. M. Mazur, V. V. Prokopiv // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2019. - Т. 16, № 2. - С. 32-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2019_16_2_4
Обговорено переваги і недоліки найбільш використовуваних на сьогоднішній день напівпровідникових матеріалів різної структурної досконалості (монокристали, полікристалічні і аморфні) для створення сонячних елементів. Особливу увагу приділено вивченню можливостей використання в якості фотоперетворювачів поверхнево-бар'єрних діодів (ПБД) на базі монокристалічного телуриду кадмію. Проаналізовано ряд технологічних способів модифікації підкладинок n-CdTe, які призводять до суттєвого покращення електричних та фотоелектричних параметрів і характеристик ПБД. Показано, що ефективність фотоперетворення ПБД на базі підкладинок з поверхневою наноструктурою (CdTe:O2) досягає 13 % при 300 К при умовах освітлення АМ2. Обговорено варіанти застосування використаних в роботі технологій для створення поверхнево-бар'єрних сонячних елементів на основі плівкового телуриду кадмію.
Попередній перегляд:   Завантажити - 652.384 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Makhniy V. P. 
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, M. M. Berezovskiy, O. V. Kinzerska, V. V. Melnyk // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2019. - № 3-4. - С. 31-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2019_3-4_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 521.35 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Makhniy V. P. 
Edge luminescence of zinc selenide crystals with impurities of rare-earth elements [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, M. M. Berezovskiy, O. V. Kinzerska, I. M. Senko // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2018. - № 1. - С. 89-92. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2018_1_14
Експериментально показано, що легування бездомішкових розплавних кристалів ZnSe рядом рідкісноземельних елементів (Ce, Gd та Yb) викликають "ефект очищення", який проявляється в значному "придушенні" низькоенергетичної та посиленні краєвої смуги люмінесценції.
Попередній перегляд:   Завантажити - 284.361 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Makhniy V. P. 
Prospects for the use of ZnSe |Te| crystals in hyperspectral optical systems [Електронний ресурс] / V. P. Makhniy, O. V. Kinzerska, I. M. Senko // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2018. - № 2. - С. 72-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2018_2_11
Обговорено перспективи використання розплавних кристалів ZnSe <> після їх додаткового легування рідкісноземельними елементами для створення гіперспектральних оптичних елементів з підвищеною температурною та радіаційною стійкостями.
Попередній перегляд:   Завантажити - 306.272 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського